Компания Samsung Electronics вновь возвращается к своим высоким стандартам в области хранения данных, объявив о масштабном обновлении технологии высокопроизводительных накопителей Z-NAND, которая была впервые представлена более семи лет назад. Этот шаг стал важным событием для рынка систем искусственного интеллекта и высокопроизводительных вычислений, поскольку новая версия Z-NAND обещает значительно превзойти предшественников по скорости и эффективности.
Основная идея обновлённой технологии – это создание накопителя с беспрецедентной производительностью, которая может достигать в 15 раз выше, чем современные NVMe SSD, обеспечивая при этом снижение энергетических затрат до 80%. Это очень важно для центров обработки данных, облачных платформ и AI-исследовательских лабораторий, где эффективность работы и экономия электроэнергии играют ключевую роль. Такие показатели делают Z-NAND особенно привлекательным для тех решений, где скорость доступа к данным имеет критическое значение, а энергопотребление является важным фактором эффективности.
Особенностью новой разработки является внедрение поддержки технологии GPU-Initiated Direct Storage Access, или GIDS. Это инновационного механизма, который позволяет графическим процессорам (GPU) обращаться к данным на накопителе напрямую без необходимости задействовать центральный процессор или оперативную память. Такой подход способен существенно снизить задержки, связанные с обработкой данных, что особенно важно при выполнении сложных задач машинного обучения и глубокого обучения, где скорость получения и обработки данных определяет эффективность работы системы.
Технология основывается на использовании усовершенствованной памяти V-NAND типа SLC, которая имеет уменьшенный размер страниц до 2–4 КБ. Это позволяет ускорить обработку небольших блоков данных и повысить общую производительность накопителя. Благодаря такому подходу, новый Z-NAND способен значительно повысить скорость выполнения операций и уменьшить времена отклика, что делает его незаменимым в высоконагруженных системах.
Изначально технология Z-NAND была разработана как ответ на появления трехмерной памяти Intel 3D XPoint, более известной как Optane. Эта память позиционировалась как промежуточное решение между быстрой DRAM и классической NAND-памятью, предлагая высокую скорость и низкую задержку. Однако со временем Intel сократила развитие продукта, сосредоточившись на других направлениях. Samsung же, увидев растущий спрос на ускорение обработки данных и развитие AI, решила вернуть свой флагманский продукт на рынок, предложив более продвинутую версию Z-NAND, которая может сыграть важную роль в решениях будущего.
Дополнительным преимуществом является гибкость применения — эти накопители могут использоваться как для ускорения работы дата-центров, так и для специализированных систем обработки данных, требующих высоких скоростей чтения и записи. Вся спецификация новой Z-NAND рассчитана на поддержку требовательных задач, включая работу с большими объемами данных, машинное обучение, нейронные сети и аналитические системы.
Samsung активно инвестирует в развитие технологий памяти, чтобы сохранить лидерство в области хранения данных и обеспечить конкурентные преимущества на растущем рынке решений для искусственного интеллекта и высокопроизводительных вычислительных систем. Возвращение к развитию Z-NAND является ярким подтверждением стратегического подхода компании, которая ставит перед собой задачу создавать продукты, опережающие время, и внедрять инновационные решения, отвечающие вызовам современной цифровой эпохи.
Такое направление развития открывает новые возможности для технологического прогресса, повышая эффективность работы крупных дата-центров и ускоряя внедрение новых AI-технологий. В то же время, оно стимулирует конкурентов к разработке аналогичных решений, что в конечном итоге способствует общему прогрессу в области хранения и обработки данных. В ближайшие годы можно ожидать появления новых высокотехнологичных накопителей, построенных на базе Z-NAND, которые станут стандартом в инфраструктуре будущего.
